Notebookcheck Logo

Az SK hynix állítólag egyesíti a DRAM-ot és a NAND-ot egységes nagy sávszélességű tárolócsomagba, hogy növelje az eszközön belüli AI teljesítményt

Egy pár SK hynix chip (Kép forrása: SK hynix)
Egy pár SK hynix chip (Kép forrása: SK hynix)
Az SK hynix állítólag egy új, nagy sávszélességű tárolócsomagot (HBS) fejleszt, amely a DRAM és a NAND chipeket egyetlen ultrahatékony modulban egyesíti. Az innováció gyorsabb adatfeldolgozást, jobb hőszabályozást és fokozott AI-teljesítményt ígér a következő generációs okostelefonok és táblagépek számára.
AI CPU Smartphone Storage

Az SK hynix állítólag jelentős mérföldkövet ért el egy olyan innovációval, amely megváltoztathatja a mobileszközök AI kezelését. A vállalat új hibrid architektúrája, a High-Bandwidth Storage (HBS) egyesíti a DRAM-ot és a NAND-ot, így nagyobb adatsebességet, alacsonyabb késleltetést és jobb energiahatékonyságot tesz lehetővé.

Az ETNews szerint az SK hynix arra számít, hogy új technológiája növelni fogja az okostelefonok AI-teljesítményét.

Újgenerációs memória az AI-alapú mobileszközökhöz

Az SK hynix legújabb innovációjának kulcsfontosságú része a Vertical Wire Fan-Out (VFO) technológia. A VFO egy olyan módszer, amely lehetővé teszi, hogy akár 16 DRAM- és NAND-réteget is egymásra helyezzenek függőlegesen, miközben egyenes vonalban csatlakoznak egymáshoz. Ezzel az eljárással az SK hynix csökkenteni tudja a jelveszteséget és az átviteli távolságot, mivel nincs szükség a hagyományos csomagokban szokásos ívelt vezetékezésre.

Az eredmény egy rövidebb adatfeldolgozási idővel és nagyobb hatékonysággal rendelkező HBS-csomag. Ez sávszélesség-javulást eredményez a mobil eszközökben, hasonlóan ahhoz, ahogyan a nagy sávszélességű memória (HBM) növelte a teljesítményt a GPU-kban és az AI-szerverekben.

Kisebb, gyorsabb és hűvösebb

Az SK hynix szerint az új VFO-eljárás 4,6-szorosára csökkenti a kábelezési követelményeket. Az energiafogyasztást 5 százalékkal csökkenti, a hőelvezetést pedig 1,4 százalékkal javítja. A dél-koreai vállalat a csomagolási magasságot is 27 százalékkal csökkentette, így a mobileszközök még vékonyabbak lehetnek, és alacsonyabb hőmérsékleten működhetnek.

Az SK hynix a gyártási költségeken is spórol, mivel a HBS nem igényel TSV (Through-Silicon Via) gyártást, amely a HBM-mel ellentétben a szilíciumszeleteket mikroszkopikus lyukak fúrásával és kitöltésével függőlegesen köti össze az egymásra helyezett chipeket. Ezenkívül ez segít a hozam növelésében, ami kulcsfontosságú a gyártás méretnövelése szempontjából.

A mesterséges intelligencia teljesítményének mobilchipekbe történő bevezetése

Az SK hynix HBS-modulja az alkalmazásprocesszorral (AP) párosítva lehetővé teszi, hogy az okostelefonok és a táblagépek jobban kezeljék az AI-munkaterhelést. A vállalat már alkalmazta a VFO-alapú DRAM-csomagolást a Apple's Vision Pro.

Forrás(ok)

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> Magyarország - Kezdőlap > Hírek > News Archive > Newsarchive 2025 11 > Az SK hynix állítólag egyesíti a DRAM-ot és a NAND-ot egységes nagy sávszélességű tárolócsomagba, hogy növelje az eszközön belüli AI teljesítményt
David Odejide, 2025-11-12 (Update: 2025-11-13)