A SanDisk gyártja az első 3D Matrix Memory chipeket – célja, hogy a DRAM-hoz képest a bitenkénti költséget felére csökkentsék

A SanDisk egy rövid, de jelentős frissítést közölt kísérleti 3D Matrix Memory termékével kapcsolatban: közölte, hogy elkészítette az új memóriatechnológia első chipjeit szabványos 300 mm-es szilíciumlemezeken, és azokat további tesztelés céljából csomagolta. A vállalat szerint a prototípusok már több gigabitnyi adat tárolására képesek, teljesítményük pedig megközelíti a végleges termékre tervezett specifikációkat.

A 3D Matrix Memory-t 2017 óta fejlesztik a hagyományos DRAM lehetséges alternatívájaként, de alapvetően eltérő, háromdimenziós szerkezettel. A SanDisk szerint a technológia végül hasonló teljesítményt nyújthat, miközben a DRAM kapacitásának akár négyszeresét is biztosíthatja. A vállalat célja továbbá, hogy a bitenkénti költséget a hagyományos DRAM-hoz képest felére csökkentsék.

A legújabb prototípusok a SanDisk kutatási partnere, az Imec által tavaly kifejlesztett tesztplatformra épülnek. A SanDisk azóta megkezdte a több memóriaréteg egymásra helyezését és a prototípusok gyártását 300 mm-es szilíciumlemezeken. A kész chipeket jelenleg további tesztelésekre használják. A vállalat szerint a kísérletek már bebizonyították, hogy több gigabit kapacitású memóriatömbök működnek. A SanDisk azt is közli, hogy a teljesítményszint már nagyon közel áll a leendő végtermékre vonatkozóan kitűzött specifikációkhoz.

A SanDisk azonban még nem áll készen arra, hogy a kereskedelmi bevezetésről beszéljen. Alper Ilkbahar, a SanDisk technológiai igazgatója megjegyezte, hogy a 3D Matrix Memory továbbra is hosszú távú projekt, és jó ideig tarthat, mire a technológia piacra kerül.

„Haladunk előre, de ez egy hosszabb távú projekt. Továbbra is tájékoztatni fogjuk Önöket az előrehaladásunkról” – Alper Ilkbahar.

A SanDisk legújabb ütemterve kevés részletet tartalmaz a következő lépésekről. Egy korábbi ütemterv 32–64 Gbit-es mintákra vonatkozó terveket mutatott be, bár azok megjelenésének ütemezéséről nem adtak tájékoztatást.

A legújabb ütemterv kevés részletet tartalmaz a következő lépésekről. Egy korábbi ütemterv 32–64 Gbit-es mintákra vonatkozó terveket mutatott be, bár azok megjelenésének időpontjáról nem adtak meg határidőt.

Jelenleg a 3D Matrix Memory inkább kutatási projektnek tekinthető, mintsem a DRAM reális helyettesítőjének a közeljövőben. Mindazonáltal az a képesség, hogy többrétegű prototípusokat gyártsanak szabványos 300 mm-es szilíciumlemezeken, több gigabites memóriatömböket mutassanak be, és a vállalat célspecifikációihoz közelítő teljesítményt érjenek el, jelentős előrelépést jelent a SanDisk hosszú távú törekvésében egy új típusú, nagy sűrűségű memória kifejlesztése érdekében.

A SanDisk egy másik fejlett memóriatechnológián is dolgozik, a High Bandwidth Flash-en (HBF). A 3D Matrix Memory-vel ellentétben az HBF nem vezet be teljesen új memóriaarchitektúrát. Ehelyett lényegében a hagyományos NAND-chipeket egymásra helyezve növeli a sávszélességet. Ez a projekt már sokkal közelebb áll a kereskedelmi forgalomba hozatalhoz. A SanDisk szerint az első HBF-terv tape-outja már lezárult, és a mintapéldányok várhatóan jövőre lesznek elérhetők a validáláshoz.