Notebookcheck Logo

A kínai CXMT jelentős áttörést ért el a HBM3E memóriamodulok gyártásában

12-magos HBM3E chip-halmaz
ⓘ The information
12-magos HBM3E chip-halmaz
Ez az eredmény kétélű: pozitívumként említhető, hogy Kína most reménykedhet abban, hogy jelentősen csökkentheti a nyugati ellenőrzés alatt álló HBM-chipektől való függőségét az AI-versenyben való dominancia elérése érdekében, ugyanakkor sajnos ez azt is jelentheti, hogy a fogyasztói DRAM-árak továbbra is magasak maradnak, mivel a termelési kapacitás elsősorban az adatközpontok számára szánt AI-memóriachipek gyártására irányul.
AI

A The Information legújabb jelentése szerint Kína vezető félvezetőgyártója, a CXMT hivatalosan is megkezdte a HBM3E memória kockázati gyártását. Bár ez az eredmény technikailag körülbelül két generációval lemaradást jelent a kínai gyártók számára a dél-koreai versenytársaikhoz képest – akik máris felkészülnek az HBM4E-re való átállásra –, mégis hatalmas előrelépést jelent Kína hazai chipellátási lánca számára, és nagyon fontos mérföldkő a nyugati technológiáktól való függőség csökkentésére irányuló erőfeszítésekben.

Bár a CXMT egyelőre titokban tartja a HBM3E chipek pontos műszaki adatait, a szabványos JEDEC-irányelvekből világos képet kaphatunk arról, mire számíthatunk a háttérben. Egy 1 024 bites interfészről van szó, amely csapanként 9,2 és 12,4 Gbps közötti sebességet biztosít, és a legtöbb szabványos konfiguráció a 9,6 Gbps-os optimális értéket célozza meg. Ez összesen elképesztő 1,2 TB/s sávszélességet jelent, a kapacitás pedig 24 GB (8 rétegű felépítés esetén) vagy 36 GB (12 rétegű felépítés esetén) lesz. Jelenleg a „kockázati gyártás” azt jelenti, hogy a chipek hozama elhanyagolható, de a CXMT arról híres, hogy viszonylag rövid idő alatt átugorja a korai tesztelési fázist, és egyenesen a tömeggyártásba lép. Nem lenne meglepő, ha néhány héten belül beindulna a nagy volumenű gyártás.

Ez az agresszív ütemterv a fizikai lábnyomra is kiterjed. A CXMT mindössze 12 hónap alatt sietve építette fel gyártóüzemeinek tisztatermeit, ami körülbelül fele annak az időnek, amire a félvezetőipar többi szereplőjének általában szüksége van. Jelenleg a vállalat két nagy 12 hüvelykes gyártóüzemet üzemeltet Hefeiben és Pekingben, amelyek együttesen havonta körülbelül 200 000 szilíciumlemezt állítanak elő. Az év végére ez a szám várhatóan eléri a 350 000-et, és a tervek szerint a jelenlegi termelés végül megháromszorozódik, elérve a havi 600 000 szilíciumlemezt, miután a sanghaji és hefei-i új létesítmények is üzembe állnak.

Egy hazai HBM-forrás megszerzése minden bizonnyal remekül illeszkedik Kína azon terveibe, hogy uralja a mesterséges intelligencia versenyét, de mi a helyzet a fogyasztói DRAM-gyártási kapacitásokkal? A CXMT nemrég kezdte el a DDR5 chipek szállítását fogyasztói RAM-modulokhoz, így remények ébredtek, hogy ennek a memóriatípusnak az ára végre a régóta várt csökkenést mutathatja. Mivel azonban a nagy sávszélességű memória (HBM) több DRAM-chip egymásra rakását igényli egyetlen csomagban, gyártása rendkívül erőforrás-igényes. Ha az AI által hajtott HBM iránti kereslet továbbra is az egekbe szökik, a CXMT hatalmas új szilíciumlapka-kapacitását könnyen elnyelheti a nagy sávszélességű memóriák iránti boom. Így a standard DRAM árai legalább az idei év hátralévő részében stagnálhatnak, vagy akár tovább is emelkedhetnek.

Forrás(ok)

Google LogoAdd as a preferred source on Google
Mail Logo
> Magyarország - Kezdőlap > Hírek > News Archive > Newsarchive 2026 09 > A kínai CXMT jelentős áttörést ért el a HBM3E memóriamodulok gyártásában
Bogdan Solca, 2026-09- 1 (Update: 2026-09- 1)