Snapdragon 8 Elite Gen 6: A korai pletykák szerint a Qualcomm egy újabb teljesítmény- és hatékonysági győztesre talált
A Snapdragon 8 Elite Gen 5 még csak egy hónapos, és csak a jövő év elején kerül be sok új zászlóshajóba, köztük a Samsung utódjába, a Samsung Galaxy S25 Ultra (jelenleg 949 dollár az Amazonon). Ennek ellenére a Weibo-n máris felbukkantak pletykák az utódról. A Qualcomm egyébként még az olcsóbb Snapdragon 8 Gen 5-t sem hozta ki az ajtón, ami állítólag a belsejében található majd egy jövőbeli OnePlus okostelefonban amely mögött egy körülbelül 8000 mAh-s akkumulátor áll.
A Digital Chat Station szerint a Snapdragon 8 Elite Gen 6 a Qualcomm átállását jelenti majd a 2 nm-es osztályú node-okra. A kontextus kedvéért a Snapdragon 8 Elite Gen 5 a második 3 nm-es lapkakészlet, amelyet a Qualcomm a Android OEM-gyártóknak kínál, miután az első generációs Snapdragon X termékcsaládban és számos közelmúltbeli Snapdragon 8-as sorozatú mobil lapkakészletben 4 nm-es csomópontokat használt. A Digital Chat Station konkrétan arról számol be, hogy a Qualcomm a TSMC N2P csomópontjait fogja használni a Snapdragon 8 Elite Gen 6 esetében, amelyek 2026 második felében fognak tömeggyártásba kerülni.
Ha ez a helyzet, akkor a Qualcomm a következő Snapdragon 8 Elite lapkakészletéhez kihagyná a TSMC N2 csomópontját. A TSMC jelenlegi becslései alapján az N2P csomópontjai 18%-os teljesítményjavulást biztosítanak az N3E megfelelőikhez képest anélkül, hogy az energiafogyasztás növekedne.
Valójában a TSMC N2P csomópontjai hozzájárulhatnak az energiafogyasztás kb. 36%-os csökkentéséhez az N3E csomópontokhoz képest, amelyeket a Snapdragon 8 Elite. A Snapdragon 8 Elite Gen 6 ráadásul az N2P csomópontokat LPDDR6 RAM-mal és UFS 5.0 flash-tárolóval kombinálja. Az az elképzelés, hogy az N2P csomópontok csak júliusban készülnek el, megkérdőjelezi azonban, hogy a Snapdragon 8 Elite Gen 6 időben elkészül-e a 2026 szeptemberi hivatalos bevezetésre.
Forrás(ok)
